平成22年度 秋期 午前 問26

✓ これが正解エデータ書換え時には，あらかじめ前のデータを消去してから書込みを行う。

解説

書換えは消してから書く二段構えになります。

フラッシュメモリは、電源を切っても記憶した内容が残る半導体の記憶素子です。読出しは番地を指定してすぐ行えますが、書換えには独特の癖があります。すでに値が入っている場所へ上から別の値を重ねることができず、決められたまとまりの単位でいったん内容を消し、そのうえであらためて書き込む手順を踏みます。この消去が書換えのたびに入るので、書込みは読出しよりも時間がかかり、素子そのものも消去と書込みを重ねるうちに傷んでいきます。判定の軸は二つです。電源を切ったときに内容が残るのかどうか、そして書換えのたびに消去の手順を挟むのかどうかです。この二点を押さえておくと、ほかの記憶素子の性質と取り違えずに済みます。

ほかの選択肢はなぜ違うのか

• ア書込み回数は無制限である。：消去と書込みを重ねると素子は少しずつ傷み、やがて値を保てない場所が出てきます。そのため製品には書換えの限度回数が示されており、いくらでも書けるわけではありません。
• イ書込み時は回路基板から外して，専用の R…：回路基板に載せたまま書き換えられることが、この素子が広く使われるようになった理由の一つです。基板から取り外して専用の装置にかける必要があるのは、より古い形の素子でした。
• ウ定期的にリフレッシュしないと，データが失…：内容を保つために一定の間隔で書き直しを続けなければならないのは、電源を切ると消えてしまう側の記憶素子の性質です。電源を切っても残るこの素子には当てはまりません。