平成28年度 春期 午前Ⅱ 問13

✓ これが正解エフラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。

解説

FeRAMは、フラッシュメモリより書換え回数が多く、書換えも速いメモリです。

FeRAMは、電源を切ってもデータが残る不揮発性のメモリです。見分ける軸は、各メモリの構造と書換えの性質です。データが残る点はフラッシュメモリと同じですが、FeRAMは特殊な材料を使ったコンデンサにデータを保持し、バイト単位で高速に書き換えられるうえ、書換え可能な回数もフラッシュメモリより多いのが特徴です。そのため、頻繁に書き換えるログや設定値を、電源が切れても残しておきたい用途に向いています。不揮発で、書換えが速く回数も多い、という組でFeRAMを覚えておくと、ほかのメモリの説明と区別できます。

ほかの選択肢はなぜ違うのか

• ア1ビットのメモリセルは4〜6個のトランジ…：1ビットのメモリセルを4〜6個のトランジスタで作るのは、フリップフロップでデータを保持するSRAMの構造です。FeRAMはコンデンサを使ってデータを保持するので、この構造とは違います。
• イデータ保持のためにリフレッシュが必要であ…：データを保持するためにリフレッシュが必要なのは、コンデンサにためた電荷が漏れていくDRAMの性質です。FeRAMは不揮発性で、電源を切ってもデータが残るのでリフレッシュは必要ありません。
• ウバイト単位で書換えができず，ブロック単位…：バイト単位で書き換えられず、ブロック単位でまとめて消去して書き換えるのは、フラッシュメモリの性質です。FeRAMはバイト単位の書換えができる点で、フラッシュメモリと違います。