平成30年度 春期 午前 問10
コンピュータ構成要素
フラッシュメモリに関する記述
NAND 型フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
- アバイト単位で書込み,ページ単位で読出しを行う。
- イバイト単位で書込み及び読出しを行う。
- ウページ単位で書込み,バイト単位で読出しを行う。
- エページ単位で書込み及び読出しを行う。
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✓ これが正解エページ単位で書込み及び読出しを行う。
解説
読出しも書込みもページ単位で行うのが NAND 型です。
設問は、NAND 型フラッシュメモリに関する記述として適切なものを選ばせています。四つの記述は、書込みと読出しの単位をバイトとページで組み合わせた総当たりになっているので、二つの単位をそれぞれ独立に決めれば必ず一つに絞れます。NAND 型はメモリセルを直列につないで面積を小さくしている構造のため、一個のセルだけを狙って読み書きするための配線を持ちません。そのためまとまった単位で扱うことになり、読出しも書込みもページ単位で行います。したがって、ページ単位で書込み及び読出しを行うという記述が当てはまります。単位はもう一つあって、消去だけはページより大きなブロック単位になりますが、設問が聞いているのは書込みと読出しの二つだけです。まとめて扱う代わりに大容量で安価に作れるので、補助記憶の媒体として広く使われています。
ほかの選択肢はなぜ違うのか
- アバイト単位で書込み,ページ単位で読出しを…:読出しの単位は合っていますが、書込みをバイト単位としている点が実際と食い違います。セルを直列につないだ構造では、一バイトだけを狙って書き込むための経路がありません。
- イバイト単位で書込み及び読出しを行う。:書込みと読出しの両方をバイト単位としており、二つとも実際の単位と異なります。この形で一か所ずつ読めるのは、セルを並列につないだもう一方の型のほうです。
- ウページ単位で書込み,バイト単位で読出しを…:書込みの単位は合っていますが、読出しをバイト単位としている点が食い違います。一個ずつ取り出す配線を持たない構造なので、読むときも書くときと同じまとまった単位になります。
出典:平成30年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問10
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